[发明专利]载体晶片从器件晶片的激光去键合有效
| 申请号： | 201380046406.7 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104584214B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;S.阿克拉姆;J.C.布哈特;M.N.特里伊尤;R.布兰克 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 江鹏飞;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在一个实施例中，半导体器件晶片（10）包含电气组件并且具有在器件晶片（10）的第一侧上的电极（28）。通过使用键合材料（32）（例如聚合物或金属）将透明载体晶片（30）键合到器件晶片（10）的第一侧。然后，在载体晶片（30）为器件晶片（10）提供机械支撑的同时，处理（诸如减薄）器件晶片（10）的第二侧。然后通过使激光束（46）穿过载体晶片（30）来将载体晶片（30）从器件晶片（10）去键合，载体晶片（30）对光束的波长基本上透明。光束撞击在键合材料（32）上，键合材料（32）吸收光束的能量，以使键合材料（32）与载体晶片（30）之间的化学键合断裂。然后从器件晶片（10）移除所释放的载体晶片（30），并且从器件晶片（10）清除残余键合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 载体 晶片 器件 激光 去键合 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成电气结构的方法，包括：在器件晶片的第一侧上形成第一金属层；在对光源透明的载体晶片的第一侧上形成第二金属层；通过使用热和压力将第一金属层键合到第二金属层以便产生单个键合金属层而将载体晶片结合到器件晶片，单个键合金属层具有与器件晶片的第一侧接触的第一表面和与载体晶片的第一侧接触的第二表面；在将载体晶片结合到器件晶片的同时处理器件晶片的与第一侧相对的第二侧；使来自光源的光穿过载体晶片以撞击在键合金属层的第二表面上并且使载体晶片的第一侧处的载体晶片与键合金属层之间的键合断裂；以及从形成在器件晶片的第一侧上的键合金属层移除载体晶片。
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