[发明专利]载体晶片从器件晶片的激光去键合

权利要求书

1.一种用于形成电气结构的方法，包括：

在器件晶片的第一侧上形成第一金属层；

在对光源透明的载体晶片的第一侧上形成第二金属层；

通过使用热和压力将第一金属层键合到第二金属层以便产生单个键合金属层而将载体晶片结合到器件晶片，单个键合金属层具有与器件晶片的第一侧接触的第一表面和与载体晶片的第一侧接触的第二表面；

在将载体晶片结合到器件晶片的同时处理器件晶片的与第一侧相对的第二侧；

使来自光源的光穿过载体晶片以撞击在键合金属层的第二表面上并且使载体晶片的第一侧处的载体晶片与键合金属层之间的键合断裂；以及

从形成在器件晶片的第一侧上的键合金属层移除载体晶片。

2.权利要求1的方法，其中来自光源的光的波长范围在紫外（UV）波长到蓝光波长之间。

3.权利要求1的方法，其中载体晶片包括蓝宝石。

4.权利要求1的方法，其中载体晶片包括SiC。

5.权利要求1的方法，其中处理器件晶片的第二侧的步骤包括形成通过器件晶片的导电通路。

6.权利要求5的方法，还包括：

将附加器件晶片键合到器件晶片，使得导电通路与附加器件晶片上的电极接触以便形成三维模块。

7.权利要求6的方法，其中附加器件晶片包含一个或多个发光二极管（LED）。

8.权利要求7的方法，其中器件晶片包含用于所述一个或多个发光二极管（LED）的瞬变电压抑制（TVS）电路系统。

9.权利要求1的方法，其中器件晶片包含一个或多个发光二极管（LED）。

10.权利要求1的方法，还包括：

从器件晶片的第一侧移除键合金属层。

11.权利要求1的方法，还包括：

移除键合金属层的一个或多个部分以便形成器件晶片的第一侧上的电极。