[发明专利]具有改善的单晶材料使用效率的伪衬底

摘要

本发明涉及一种用于制造伪衬底(109)的方法，该方法包括以下步骤提供单晶锭(101)，提供操作衬底(102)，从单晶锭(101)切取薄切片(105)，以及将薄切片(105)附接至操作衬底(102)，以形成伪衬底(109)。依据本发明，薄切片(105)的厚度大致等于或小于临界厚度，低于该临界厚度切片(105)在单独取用时不再是机械稳定的。本发明进一步涉及半导体结构体(109)。

主权项

一种用于制造伪衬底(610)的方法，所述方法包括以下步骤：提供单晶锭(601)；提供操作衬底(602)；沿平行于单晶锭(601)一个端面的方向从单晶锭(601)切取薄切片(605)；以及将所述薄切片(605)附接至所述操作衬底(602)，以形成伪衬底(610)；所述伪衬底(610)用于在其中或其上制造半导体器件，并且在制得所述半导体器件后去除所述操作衬底(602)，其特征在于，所述薄切片(605)的厚度等于或小于临界厚度，低于所述临界厚度时，所述切片(605)在单独取用时不再是机械稳定的，所述方法进一步包括以下步骤：在切取所述薄切片(605)之前在所述单晶锭(601)上提供加强物(608)，从而使所述加强物(608)和所述薄切片(605)形成机械稳定的自支撑结构体(609)，所述加强物(608)是沉积的氧化物层，所述薄切片(605)与所述操作衬底(602)的附接通过分子键合使用所述氧化物层作为键合层实现。