[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201380045527.X | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104603917B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 原田彰俊;林彦廷;陈智轩;谢如嘉;米田滋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式的等离子体处理方法首先实施蚀刻工序向等离子体处理空间供给含氟气体，使用含氟气体的等离子体对在硅化镍膜的表面形成有氧化硅膜或氮化硅膜的被处理基板，进行蚀刻(步骤S101)。接着，等离子体处理方法实施还原工序向等离子体处理空间供给含氢气体，使用含氢气体的等离子体对蚀刻工序后附着于表面面向等离子体处理空间而配置的部件的含镍物进行还原(步骤S102)。接着，等离子体处理方法实施去除工序向等离子体处理空间供给含氧气体，使用含氧气体的等离子体将含镍物通过还原工序而被还原得到的镍去除(步骤S103)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，其特征在于，其为等离子体处理装置中的等离子体处理方法，其包括：第1工序：向等离子体处理空间供给含氟气体并生成等离子体，使用所述含氟气体的等离子体对在硅化镍膜的表面形成有氧化硅膜和氮化硅膜的至少一种的被处理基板进行蚀刻；第2工序：向所述等离子体处理空间供给含氢气体并生成等离子体，使用所述含氢气体的等离子体对所述第1工序后附着于使表面面向所述等离子体处理空间而配置的部件的含镍物进行还原；和第3工序：向所述等离子体处理空间供给CO2并生成等离子体，使用所述CO2的等离子体将所述含镍物通过所述第2工序而被还原得到的镍以Ni(CO)4气体的形式去除，通过进行所述第2工序和第3工序，将表面面向所述等离子体处理空间而配置的部件上的含镍物膜去除，抑制所述被处理基板的Vpp的变动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
