[发明专利]在整体隔离的或局部隔离的衬底上形成的应变栅极全包围半导体器件有效
| 申请号： | 201380044198.7 | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104584223B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | A·卡佩拉尼;A·J·派特;T·加尼;H·戈麦斯;S·金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了在整体隔离的或局部隔离的衬底上形成的应变栅极全包围半导体器件。例如，一种半导体器件包括半导体衬底。绝缘结构被布置在半导体衬底之上。三维沟道区被布置在绝缘结构之上。源极区和漏极区被布置在三维沟道区的任一侧上和外延种子层上。外延种子层由与三维沟道区不同的半导体材料组成，且被布置在绝缘结构上。栅极电极叠置体围绕三维沟道区，具有布置在绝缘结构上的部分并与外延种子层横向相邻。 1 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘结构 沟道区 衬底 半导体器件 三维 种子层 局部隔离 全包围 半导体 半导体材料 隔离 横向相邻 栅极电极 叠置体 漏极区 源极区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；绝缘结构，所述绝缘结构被布置在所述半导体衬底之上，其中，所述绝缘结构包括与所述半导体衬底连续的一个或多个隔离基座；三维沟道区，所述三维沟道区被布置在所述绝缘结构之上，其中所述绝缘结构的直接位于所述三维沟道区之下的部分具有非平坦的上表面；源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区被布置在所述三维沟道区的两侧上并且在外延种子层上，所述外延种子层包括与所述三维沟道区不同的半导体材料且被布置在所述绝缘结构上；以及围绕所述三维沟道区的栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体具有布置在所述绝缘结构上并与所述外延种子层横向相邻的部分。
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