[发明专利]具有优化形状的CMOS成像设备,以及用于借助于光刻产生这样的设备的方法有效
| 申请号: | 201380044092.7 | 申请日: | 2013-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN104620386B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
| 发明(设计)人: | P·罗尔;J-L·马丁;B·博塞;B·杜邦 | 申请(专利权)人: | 原子能和辅助替代能源委员会;特里赛尔公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 刘瑜,王英 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及数字成像设备领域,尤其是用于X射线医学成像的设备。本发明涉及一种包括通过寻址电路被独立寻址的像素的成像设备,并且涉及一种用于经由光刻来产生这样的成像设备的方法。所述成像设备包括传感器(61),所述传感器(61)的表面积大于或等于10cm2,并且所述传感器(61)包括图像区(23),其被产生在单个衬底(22)上并且包括按行和列布置的一组像素(24),每列像素的数目针对像素的全部列不是一致的,每个像素(24)收集由光敏元件生成的电荷;逐行地连接所述像素的行导体;逐列地连接所述像素的列导体;行寻址单元(12),其被连接到所述行导体以便独立地寻址每行像素;以及列读取单元,其被连接到所述列导体,以便读取由通过所述行寻址单元(12)选择的所述行的所述像素(24)收集的电荷,所述列读取单元位于所述图像区(23)的周边,所述行寻址单元(12)和所述列读取单元被产生在与所述图像区相同的衬底(22)上。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 优化 形状 cmos 成像 设备 以及 用于 借助于 光刻 产生 这样 方法 | ||
【主权项】:
一种用于通过光刻在形成衬底的半导体晶片(22)上产生成像设备的方法;所述成像设备包括传感器,所述传感器包括:·图像区域(23),其被产生在所述衬底上并且包括按行和列设置的一组像素(24),每列像素的数目针对像素的全部列不是一致的,每个像素(24)包括收集电荷的电荷收集器元件,所述电荷是根据由所述成像设备接收的光子辐射而生成的,·行导体(Xi、XRAZi),其逐行地链接所述像素,·列导体(Yj),其逐列地链接所述像素,·行寻址块(12),其被链接到所述行导体(Xi、XRAZi)并使得能够独立地对每行像素进行寻址,以及·列读取块(13),其被链接到所述列导体(Yj)并使得能够读取由通过所述行寻址块(12)选择的所述行的所述像素(24)收集的电荷,所述列读取块(13)位于所述图像区域(23)的周边,·所述行寻址块(12)和所述列读取块(13)被产生在与所述图像区域相同的衬底上;所述方法的特征在于,其包括在其中通过两组或三组掩模使所述半导体晶片(22)的表面逐区域地暴露于辐射的步骤;每组掩模包括几个掩模;同一组掩模中的每个掩模包括几个区域,每个区域对应于具体图案;所述两组或三组掩模被配置为能够通过光刻来在所述半导体晶片(22)的所述表面上产生各种图案;所述图像区域是通过在所述半导体晶片的所述表面上彼此毗邻的图案的连续产生而获得的;这样获得的所述图像区域(23)呈现大于或等于10cm2的表面积;所述方法的特征还在于实施的图案的数目严格大于1且小于15。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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