[发明专利]具有优化形状的CMOS成像设备，以及用于借助于光刻产生这样的设备的方法

权利要求书

1.一种用于通过光刻在形成衬底的半导体晶片(22)上产生成像设备的方法；所述成像设备包括传感器，所述传感器包括：

·图像区域(23)，其被产生在所述衬底上并且包括按行和列设置的一组像素(24)，每列像素的数目针对像素的全部列不是一致的，每个像素(24)包括收集电荷的电荷收集器元件，所述电荷是根据由所述成像设备接收的光子辐射而生成的，

·行导体(X_i、X_RAZi)，其逐行地链接所述像素，

·列导体(Y_j)，其逐列地链接所述像素，

·行寻址块(12)，其被链接到所述行导体(X_i、X_RAZi)并使得能够独立地对每行像素进行寻址，以及

·列读取块(13)，其被链接到所述列导体(Y_j)并使得能够读取由通过所述行寻址块(12)选择的所述行的所述像素(24)收集的电荷，所述列读取块(13)位于所述图像区域(23)的周边，

·所述行寻址块(12)和所述列读取块(13)被产生在与所述图像区域相同的衬底上；

所述方法的特征在于，其包括在其中通过两组或三组掩模使所述半导体晶片(22)的表面逐区域地暴露于辐射的步骤；每组掩模包括几个掩模；同一组掩模中的每个掩模包括几个区域，每个区域对应于具体图案；所述两组或三组掩模被配置为能够通过光刻来在所述半导体晶片(22)的所述表面上产生各种图案；所述图像区域是通过在所述半导体晶片的所述表面上彼此毗邻的图案的连续产生而获得的；这样获得的所述图像区域(23)呈现大于或等于10cm²的表面积；

所述方法的特征还在于实施的图案的数目严格大于1且小于15。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述两组或三组掩模中的每个掩模均包括n个不同区域，分别允许n种图案通过光刻的所述产生；n是在1和15之间的整数。

3.如权利要求1和2中的一项所述的方法，其中，实施的图案的数目小于8。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述图像区域的外周像素基本上形成包括至少5个边的多边形。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述图像区域的外周像素基本上形成包括的边的数目小于20的多边形。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述图像区域的外周像素基本上形成正八边形。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述传感器的每个行寻址块(12)是通过包括对应于所述行寻址块(12)的区域的图案的所述产生而形成的，形成行寻址块的所述图案中的至少一个呈现关于像素的所述行和所述列倾斜的形状。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述传感器的每个列读取块(13)是通过包括对应于所述列读取块(13)的区域的图案的所述产生而形成的，形成列读取块的所述图案中的至少一个呈现关于像素的所述行和所述列倾斜的形状。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述两组或三组掩模是矩形形状，要被产生在所述半导体晶片(22)上的每个图案是由一个或多个密闭扁板选择的。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中，通过一组掩模暴露所述半导体晶片(22)的所述表面，所述一组掩模中的每个掩模包括使得能够形成围绕所述图像区域(23)、所述行寻址块(12)和所述列读取块(13)的切割线(25)的区域；所述切割线(25)有助于对所述半导体晶片(22)的切割；所述方法还包括沿所述切割线(25)切割所述半导体晶片(22)以形成所述传感器的步骤。

11.一种通过如权利要求1至10中的一项所述的方法获得的成像设备。

12.如权利要求11所述的成像设备，其中，至少两个列读取块(13)与属于不同级的行的像素(24)邻接。

13.如权利要求11或12中的一项所述的成像设备，其中，每列像素的数目被以一方式调整使得所述图像区域(23)的外周像素基本上形成包括至少5个边的多边形。

14.如权利要求13所述的成像设备，其中，所述多边形包括的边的数目小于20。