[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号: | 201380043422.0 | 申请日: | 2013-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN104685637B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
| 发明(设计)人: | H·沃曼;B-O·芬兰;D·C·金姆 | 申请(专利权)人: | 挪威科技大学(NTNU) |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民,张全信 |
| 地址: | 挪威,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种物质组合物,特别是光电池,其包括至少一个核心半导体纳米线,其在石墨衬底上,所述至少一个核心纳米线已经外延生长在所述衬底上,其中所述纳米线包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素;半导体壳,其围绕所述核心纳米线,所述壳包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心纳米线和所述壳分别形成n‑型半导体和p‑型半导体,或反之亦然;和外部导电涂层,其围绕所述壳,所述外部导电涂层形成电极触点。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光电池,其包括:至少一个核心半导体纳米线,其在石墨烯、石墨烷或氧化石墨烯衬底上,所述衬底具有20nm或更小的厚度,所述至少一个核心半导体纳米线已经外延生长在所述衬底上,其中所述核心半导体纳米线包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素;半导体壳,其围绕所述核心半导体纳米线,所述壳包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心半导体纳米线和所述壳分别形成n‑型半导体和p‑型半导体,或反之亦然。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





