[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380041833.6 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104718624B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 森本淳;宫原真一朗;山本敏雅;副岛成雅;渡边行彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具备具有沟槽栅结构(9)的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法中，使用相对于(0001)面或(000－1)面具有偏轴角的衬底(1)，以使沟槽(6)的侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面的方式，将沟槽(6)从源区(4)的表面形成到将基区(3)贯通并到达漂移层(2)的深度，在上述沟槽(6)的形成后不进行牺牲氧化，形成栅氧化膜(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具备反型的纵型开关元件的碳化硅半导体装置的制造方法，上述碳化硅半导体装置具备：第1或第2导电型的衬底(1)，由碳化硅构成，主表面被设为(0001)面或(000－1)面，或相对于该各面具有偏轴角；漂移层(2)，形成在上述衬底(1)之上，由与上述衬底(1)相比设为低杂质浓度的第1导电型的碳化硅构成；基区(3)，形成在上述漂移层(2)之上，由第2导电型的碳化硅构成；源区(4)，形成在上述基区(3)的上层部，由与上述漂移层(2)相比高浓度的第1导电型的碳化硅构成；沟槽(6)，从上述源区(4)的表面形成到将上述基区(3)贯通并到达上述漂移层(2)的深度，且侧壁面朝向(11－20)面或(1－100)面而形成；栅绝缘膜(7)，形成在上述沟槽(6)的内壁面；栅电极(8)，在上述沟槽(6)内，形成在上述栅绝缘膜(7)之上；源电极(11)，与上述源区(4)及上述基区(3)电连接；以及漏电极(12)，形成在上述衬底(1)的背面侧；上述碳化硅半导体装置具有：通过控制向上述栅电极(8)的施加电压而在位于上述沟槽(6)的侧面的上述基区(3)的表面部形成反型的沟道区域、并经由上述源区(4)及上述漂移层(2)而在上述源电极(8)及上述漏电极(12)之间流过电流的沟槽栅结构(9)；上述碳化硅半导体装置的制造方法的特征在于，通过蚀刻形成上述沟槽(6)；在上述沟槽的形成后，通过进行利用包含CF4及O2的气体的化学干法蚀刻而将损伤去除；在将上述损伤去除后，不进行牺牲氧化而在上述沟槽(6)的表面形成上述栅绝缘膜(7)；在从上述沟槽的形成后开始到将上述损伤去除为止的期间进行牺牲氧化。
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