[发明专利]具有写辅助电路的SRAM读优选位单元有效
| 申请号： | 201380040575.X | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104704566B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | S-O·郑;Y·杨;B·杨;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于静态存储器单元的方法和装置。一种静态存储器单元可包括包含第一背栅节点的第一传输门晶体管和包含第二背栅节点的第二传输门晶体管。该静态存储器单元可包括包含第三背栅节点的第一下拉晶体管以及包含第四背栅节点的第二下拉晶体管。该第一下拉晶体管的源节点、该第二下拉晶体管的源节点、以及该第一、第二、第三和第四背栅节点被彼此电耦合以形成公共节点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 电路 sram 优选 单元 | ||
【主权项】：
一种静态存储器单元，包括：包括第一背栅节点的第一传输门晶体管；包括第二背栅节点的第二传输门晶体管；包括第三背栅节点的第一下拉晶体管；以及包括第四背栅节点的第二下拉晶体管；其中所述第一下拉晶体管的源节点、所述第二下拉晶体管的源节点、所述第一背栅节点、所述第二背栅节点、所述第三背栅节点、以及所述第四背栅节点被彼此电耦合以形成公共节点；其中所述公共节点被配置成用单一信号控制以在涉及数据被传递通过所述第一和第二传输门晶体管的写操作期间将所述公共节点的电势增加到高于0V，其中所述公共节点的所述电势是要达到单元成品率的6σ的最小值的电压；其中所述第一传输门晶体管被配置成在所述公共节点被升高到所述电势时将数据传递到所述第二下拉晶体管，且所述第二传输门晶体管被配置成在所述公共节点被升高到所述电势时将数据传递到所述第一下拉晶体管。
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