[发明专利]具有写辅助电路的SRAM读优选位单元

权利要求书

1.一种静态存储器单元，包括：

包括第一背栅节点的第一传输门晶体管；

包括第二背栅节点的第二传输门晶体管；

包括第三背栅节点的第一下拉晶体管；以及

包括第四背栅节点的第二下拉晶体管；

其中所述第一下拉晶体管的源节点、所述第二下拉晶体管的源节点、所述第一背栅节点、所述第二背栅节点、所述第三背栅节点、以及所述第四背栅节点被彼此电耦合以形成公共节点；

其中所述公共节点被配置成用单一信号控制以在涉及数据被传递通过所述第一和第二传输门晶体管的写操作期间将所述公共节点的电势增加到高于0V，其中所述公共节点的所述电势是要达到单元成品率的6σ的最小值的电压；

其中所述第一传输门晶体管被配置成在所述公共节点被升高到所述电势时将数据传递到所述第二下拉晶体管，且所述第二传输门晶体管被配置成在所述公共节点被升高到所述电势时将数据传递到所述第一下拉晶体管。

2.如权利要求1所述的静态存储器单元，其特征在于，所述电压为0.4V。

3.如权利要求1所述的静态存储器单元，其特征在于，还包括：耦合于所述第一传输门晶体管和所述第一下拉晶体管的第一上拉晶体管；以及耦合于所述第二传输门晶体管和所述第二下拉晶体管的第二上拉晶体管。

4.如权利要求1所述的静态存储器单元，其特征在于，所述第一传输门晶体管的管体包括所述第一背栅节点。

5.如权利要求1所述的静态存储器单元，其特征在于，所述第一下拉晶体管的管体包括所述第三背栅节点。

6.一种向静态存储器单元进行写入的方法，包括：

提供存储器单元，所述存储器单元包括：

包括第一背栅节点的第一传输门晶体管；

包括第二背栅节点的第二传输门晶体管；

包括第三背栅节点的第一下拉晶体管；以及

包括第四背栅节点的第二下拉晶体管；

其中所述第一下拉晶体管的源节点、所述第二下拉晶体管的源节点、所述第一背栅节点、所述第二背栅节点、所述第三背栅节点、以及所述第四背栅节点被彼此电耦合以形成公共节点；以及

其中所述公共节点被用单一信号控制以在涉及数据被传递通过所述第一和第二传输门晶体管的写操作期间将所述公共节点的电势增加到高于0V，其中所述公共节点的所述电势是要达到单元成品率的6σ的最小值的电压；

将所述公共节点的所述电势升高到所述电压；以及

当所述公共节点的所述电势在所述电压处时，使电流流过所述第一传输门晶体管和所述第二传输门晶体管。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述电压为0.4V。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一传输门晶体管被配置成当所述公共节点被升高到高于零伏的电势时将数据传递到所述第二下拉晶体管，而所述第二传输门晶体管被配置成当所述公共节点被升高到高于零伏的所述电势时将数据传递到所述第一下拉晶体管。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：耦合于所述第一传输门晶体管和所述第一下拉晶体管的第一上拉晶体管；以及耦合于所述第二传输门晶体管和所述第二下拉晶体管的第二上拉晶体管。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一传输门晶体管的管体包括所述第一背栅节点。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一下拉晶体管的管体包括所述第三背栅节点。