[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法有效
申请号: | 201380036463.7 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN104428901B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;足立修一郎;早坂刚 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极,在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层,在p型扩散区域上具有第一金属电极,在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极,在背面具有背面电极,在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一~第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池元件,其具有:半导体基板,其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面;受光面电极,其配置于所述半导体基板的受光面上;背面电极,其配置于所述半导体基板的背面上;和钝化层,其配置于所述半导体基板的背面上并含有氧化铝,所述钝化层为含有有机铝化合物的钝化层形成用组合物的热处理物,所述有机铝化合物包含下述通式(I)所表示的有机铝化合物,式中,R1各自独立地表示碳原子数为1~8的烷基;n表示0~3的整数;X2及X3各自独立地表示氧原子或亚甲基;R2、R3及R4各自独立地表示氢原子或碳原子数为1~8的烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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