[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池元件，其具有：

半导体基板，其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面；

受光面电极，其配置于所述半导体基板的受光面上；

背面电极，其配置于所述半导体基板的背面上；和

钝化层，其配置于所述半导体基板的背面上并含有氧化铝，

所述钝化层为含有有机铝化合物的钝化层形成用组合物的热处理物，所述有机铝化合物包含下述通式(I)所表示的有机铝化合物，

式中，R¹各自独立地表示碳原子数为1～8的烷基；n表示0～3的整数；X²及X³各自独立地表示氧原子或亚甲基；R²、R³及R⁴各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～8的烷基。

2.一种太阳能电池元件，其具有：

半导体基板，其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面，在所述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域；

第一金属电极，其设置于所述p型扩散区域上；

第二金属电极，其设置于所述n型扩散区域上；和

钝化层，其设置于所述半导体基板的背面的一部分或全部区域并含有氧化铝，

所述钝化层为含有有机铝化合物的钝化层形成用组合物的热处理物，所述有机铝化合物包含下述通式(I)所表示的有机铝化合物，

式中，R¹各自独立地表示碳原子数为1～8的烷基；n表示0～3的整数；X²及X³各自独立地表示氧原子或亚甲基；R²、R³及R⁴各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～8的烷基。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池元件，其中，所述p型扩散区域与所述n型扩散区域隔开配置并分别具有具备短边及长边的多个矩形部分，

所述p型扩散区域所具有的多个矩形部分，按照所述多个矩形部分的长边的方向沿着所述n型扩散区域所具有的多个矩形部分的长边的方向的方式进行配置，

所述p型扩散区域所具有的多个矩形部分与所述n型扩散区域所具有的多个矩形部分交替地配置。

4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池元件，其为背接触型的太阳能电池元件。

5.一种太阳能电池元件，其具有：

半导体基板，其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面；

第1杂质扩散层的区域，其配置于所述受光面的一部分并扩散有杂质；

第2杂质扩散层的区域，其配置于所述受光面，且与第1杂质扩散层相比杂质浓度低；

受光面电极，其配置于所述第1杂质扩散层上；

背面电极，其配置于所述背面上；和

钝化层，其配置于所述受光面及背面中的至少一个面上并含有氧化铝，

所述钝化层为含有有机铝化合物的钝化层形成用组合物的热处理物，所述有机铝化合物包含下述通式(I)所表示的有机铝化合物，

式中，R¹各自独立地表示碳原子数为1～8的烷基；n表示0～3的整数；X²及X³各自独立地表示氧原子或亚甲基；R²、R³及R⁴各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～8的烷基。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，所述第1杂质扩散层及第2杂质扩散层为n型扩散层或p型扩散层。

7.根据权利要求1～3、5、6中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层含有非晶态结构的氧化铝。

8.根据权利要求1～3、5、6中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层的密度为1.0g/cm³～8.0g/cm³。

9.根据权利要求1～3、5、6中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述钝化层的平均厚度为5nm～50μm。

10.根据权利要求1～3、5、6中任一项所述的太阳能电池元件，其中，在所述通式(I)中，R¹各自独立地为碳原子数为1～4的烷基。