[发明专利]半导体用洗涤液及使用该洗涤液的洗涤方法在审
| 申请号： | 201380035843.9 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104412370A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 佐佐卓;志垣修平 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B9/027;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供用于在半导体元件制造工序中，预先防止抗蚀剂图案形成后或半导体基板加工后产生的半导体基板上所产生的缺陷，为了在光刻工序中，在光刻用药液向半导体制造装置内通液之前，除去药液通液部分所存在的金属杂质等，而用于有效地进行这些杂质的除去的洗涤液。作为解决本发明的课题的方法是一种洗涤液，其用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤，所述洗涤液包含无机酸、水和亲水性有机溶剂。该洗涤液中的无机酸的浓度基于洗涤液的总量优选为0.0001质量％～60质量％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 洗涤液 使用 洗涤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种洗涤液，其用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤，所述洗涤液包含无机酸、水和亲水性有机溶剂，所述洗涤液中的各成分的浓度是，基于洗涤液的总量，无机酸为0.0001质量％～1质量％，水为0.0006质量％～60质量％，亲水性有机溶剂为90质量％～99.999质量％，洗涤液中含有的各成分的含量的合计为100质量％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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