[发明专利]半导体用洗涤液及使用该洗涤液的洗涤方法在审
| 申请号： | 201380035843.9 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104412370A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 佐佐卓;志垣修平 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B9/027;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 洗涤液 使用 洗涤 方法 | ||
1.一种洗涤液，其用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤，所述洗涤液包含无机酸、水和亲水性有机溶剂，
所述洗涤液中的各成分的浓度是，基于洗涤液的总量，
无机酸为0.0001质量％～1质量％，
水为0.0006质量％～60质量％，
亲水性有机溶剂为90质量％～99.999质量％，
洗涤液中含有的各成分的含量的合计为100质量％。
2.根据权利要求1所述的洗涤液，所述通液部分为半导体制造装置内配管或过滤用过滤器。
3.根据权利要求1或2所述的洗涤液，所述无机酸为硫酸、盐酸或硝酸。
4.根据权利要求1或2所述的洗涤液，所述亲水性有机溶剂为二醇系溶剂或内酯系溶剂。
5.根据权利要求1或2所述的洗涤液，所述亲水性有机溶剂为1-甲氧基-2-丙醇或1-乙氧基-2-丙醇。
6.根据权利要求1或2所述的洗涤液，其还包含表面活性剂。
7.根据权利要求1或2所述的洗涤液，其还包含金属捕捉剂即螯合化合物。
8.一种洗涤方法，将权利要求1～7的任一项所述的洗涤液用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤。
9.一种半导体元件的制造方法，其包括使用制造半导体元件所使用的抗蚀剂图案来加工半导体基板的工序，所述半导体元件是使用以权利要求1～7的任一项所述的洗涤液洗涤后的光刻工序用半导体制造装置而形成的。
10.一种洗涤液，其用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤，所述洗涤液包含无机酸、水和亲水性有机溶剂，
该无机酸是硫酸，并且，
所述洗涤液中的各成分的浓度是，基于洗涤液的总量，
硫酸为0.0001质量％～60质量％，
水为0.0006质量％～60质量％，
亲水性有机溶剂为20质量％～99.999质量％，
洗涤液中含有的各成分的含量的合计为100质量％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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