[发明专利]金刚石单晶、其制造方法以及单晶金刚石工具有效
| 申请号： | 201380034864.9 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104395508A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 植田晓彦;西林良树;角谷均 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C01B31/06;C23C16/27 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成且对波长为350nm的光具有25cm-1以上且80cm-1以下的吸收系数的金刚石单晶。根据本发明的制造金刚石单晶的方法包括：将碳以外的离子注入至金刚石单晶籽晶基板的主面中，从而降低波长为800nm的光的透射率，所述主面相对于{100}面具有7°以下的偏角，并在气相中含碳分子的数目NC对氢分子的数目NH的比NC/NH为10％以上且40％以下，气相中氮分子的数目NN对含碳分子的数目NC的比NN/NC为0.1％以上且10％以下，且籽晶基板温度T为850℃以上且小于1000℃的合成条件下，利用化学气相合成法在所述籽晶基板的离子注入后的主面上均相外延生长金刚石单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 制造 方法 以及 金刚石工具 | ||
【主权项】：
一种金刚石单晶，其是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。
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