[发明专利]具有NaxIn1SyClz缓冲层的薄层太阳能电池的层系统有效
| 申请号： | 201380032809.6 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105144401B | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | T·哈普;S·约斯特;J·帕尔姆;S·波尔纳;T·达利博尔;R·迪特米勒 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 杜荔南,胡莉莉 |
| 地址： | 233018 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄层太阳能电池的层系统(1)，该层系统具有包含硫族化合物半导体的吸收层(4)和布置在吸收层(4)上的缓冲层(5)，其中所述缓冲层(5)包含NaxIn1SyClz，其中0.05≤x＜0.2或者0.2＜x≤0.5、1≤y＜2且0.6≤x/z＜1.4。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 na sub in cl 缓冲 薄层 太阳能电池 系统 | ||
【主权项】：
用于薄层太阳能电池(100)的层系统(1)，包括：包含硫族化合物半导体的吸收层(4)，布置在吸收层(4)上的缓冲层(5)，其中所述缓冲层(5)包含NaxIn1SyClz，其中0.05≤x<0.2或者0.2<x≤0.5，0.6≤x/z≤1.4且1≤y≤2。
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H01L31-04 .用作转换器件的
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