[发明专利]C12A7电子化合物的薄膜的制造方法及C12A7电子化合物的薄膜有效
| 申请号： | 201380032070.9 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104411860B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 细野秀雄;户田喜丈;林克郎;伊藤节郎;渡边晓;宫川直通;渡边俊成;伊藤和弘 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C04B35/00;C04B35/10;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 于洁,王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | c12a7 电子 化合物 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在氧分压低于0.1Pa、并且在将气体分子的直径设为d(m)时以压力P和基板与靶之间的距离t(m)满足8.9×10‑22/(td2)＜P＜4.5×10‑20/(td2)的方式进行了调节的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社，未经国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380032070.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种退火炉气体采样管路
- 下一篇：双面过滤网三通装置
- 同类专利
- 专利分类
