[发明专利]C12A7电子化合物的薄膜的制造方法及C12A7电子化合物的薄膜

权利要求书

1.一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，

使用电子密度为2.0×10¹⁸cm^-3～2.3×10²¹cm^-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在氧分压低于0.1Pa、并且在将气体分子的直径设为d(m)时以压力P和基板与靶之间的距离t(m)满足8.9×10^-22/(td²)＜P＜4.5×10^-20/(td²)的方式进行了调节的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述靶进行了表面研磨处理。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述气相蒸镀法为溅射法。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述溅射法使用选自由He(氦气)、Ne(氖气)、N₂(氮气)、Ar(氩气)、NO(一氧化氮)、Kr(氪气)和Xe(氙气)组成的组中的至少一种气体种来实施。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，对所述靶实施预溅射处理。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述预溅射处理使用选自由He(氦气)、Ne(氖气)、N₂(氮气)、Ar(氩气)和NO(一氧化氮)组成的组中的至少一种气体种来实施。

7.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述非晶质C12A7电子化合物的薄膜具有10μm以下的厚度。

8.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述基板在非加热状态下使用。

9.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。

10.一种C12A7电子化合物的薄膜，其特征在于，

所述C12A7电子化合物的薄膜通过在氧分压低于0.1Pa、并且在将气体分子的直径设为d(m)时以压力P和基板与靶之间的距离t(m)满足8.9×10^-22/(td²)＜P＜4.5×10^-20/(td²)的方式进行了调节的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜而得到，

电子密度在2.0×10¹⁸cm^-3以上且2.3×10²¹cm^-3以下的范围内，

在光子能量为4.6eV的位置显示光吸收，

在所述4.6eV的位置的光吸收值为100cm^-1以上，

功函数为2.4eV～4.5eV，

具有10μm以下的厚度，并且

所述薄膜为非晶质。

11.如权利要求10所述的薄膜，其特征在于，

含有钙、铝和氧，

钙与铝的摩尔比在13:12～11:16的范围内。

12.如权利要求10或11所述的薄膜，其特征在于，该薄膜形成在玻璃基板上。