[发明专利]场效应晶体管、包含所述晶体管的装置及其形成和使用方法有效
申请号: | 201380030209.6 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN104769424B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 巴拉什·塔库拉帕里;J·阿比纳弗 | 申请(专利权)人: | 巴拉什·塔库拉帕里;INANOBIO有限公司 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414;G01N33/487 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 杨昀 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开内容提供一种改进的场效应晶体管和装置,所述场效应晶体管和装置能够用于感测和表征不同材料。所述场效应晶体管和/或装置包括能够用于多种应用的晶体管,所述应用包括基因组测序、蛋白质测序、生物分子测序和对于离子、分子、化学品、生物分子、金属原子、聚合物、纳米颗粒等的检测。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 包含 装置 及其 形成 使用方法 | ||
【主权项】:
一种形成传感器装置的方法,所示方法包括如下步骤:提供基质;蚀刻所述基质的部分以形成蚀刻区;在所述蚀刻区附近形成隐埋的绝缘区;形成覆盖所述隐埋的绝缘区的半导体层;使用所述半导体层的第一部分形成通道;使用所述半导体层的第二部分形成覆盖所述基质的第一表面的源区;和使用所述半导体层的第三部分形成覆盖基质的第二表面的漏区,其中,所述通道在所述源区与所述漏区之间横跨。
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