[发明专利]场效应晶体管、包含所述晶体管的装置及其形成和使用方法有效
| 申请号： | 201380030209.6 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104769424B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 巴拉什·塔库拉帕里;J·阿比纳弗 | 申请（专利权）人： | 巴拉什·塔库拉帕里;INANOBIO有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N33/487 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 杨昀 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容提供一种改进的场效应晶体管和装置，所述场效应晶体管和装置能够用于感测和表征不同材料。所述场效应晶体管和/或装置包括能够用于多种应用的晶体管，所述应用包括基因组测序、蛋白质测序、生物分子测序和对于离子、分子、化学品、生物分子、金属原子、聚合物、纳米颗粒等的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 包含 装置 及其 形成 使用方法 | ||
【主权项】：
一种形成传感器装置的方法，所示方法包括如下步骤：提供基质；蚀刻所述基质的部分以形成蚀刻区；在所述蚀刻区附近形成隐埋的绝缘区；形成覆盖所述隐埋的绝缘区的半导体层；使用所述半导体层的第一部分形成通道；使用所述半导体层的第二部分形成覆盖所述基质的第一表面的源区；和使用所述半导体层的第三部分形成覆盖基质的第二表面的漏区，其中，所述通道在所述源区与所述漏区之间横跨。
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