[发明专利]场效应晶体管、包含所述晶体管的装置及其形成和使用方法

权利要求书

1.一种形成传感器装置的方法，所示方法包括如下步骤：

提供基质；

蚀刻所述基质的部分以形成蚀刻区；

在所述蚀刻区附近形成隐埋的绝缘区；

形成覆盖所述隐埋的绝缘区的半导体层；

使用所述半导体层的第一部分形成通道；

使用所述半导体层的第二部分形成覆盖所述基质的第一表面的源区；和

使用所述半导体层的第三部分形成覆盖基质的第二表面的漏区，

其中，所述通道在所述源区与所述漏区之间横跨。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基质的步骤包括提供包含一种或多种下述物质的基质：硅、绝缘体上的硅、GaAs、GaN、锗、绝缘体上的GaN、绝缘体上的GaAs、绝缘体上的锗。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成绝缘区的步骤包括选自下组的一种或多种技术：植入、热氧化、化学气相沉积、旋涂、蒸汽涂覆、喷涂和浸渍涂覆。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻沿所述基质的结晶平面进行。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻步骤是自限制过程。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，绝缘区采用植入形成。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括退火步骤。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述蚀刻区内的第一表面上和所述蚀刻区内的第二表面上形成掩模。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成掩模的步骤是自对准步骤。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成通过所述蚀刻区的纳米孔的步骤。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述纳米孔采用如下一种或多种技术形成：离子研磨、电子束研磨、激光技术、反馈蚀刻、化学终止湿蚀刻和湿蚀刻。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成隐埋的绝缘区的步骤包括通过注氧隔离进行分离。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括形成选自下组的层：所述蚀刻区附近的金属层和第二绝缘层。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括形成覆盖纳米孔的至少一个脂质双层。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括形成至少一个生物学纳米孔和至少一个固态纳米孔。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括形成至少一个附近的化学纳米孔和至少一个固态纳米孔。

17.一种装置，其包含：

基质；

在所述基质的部分内形成的蚀刻区；

所述蚀刻区附近形成的隐埋的绝缘区；

形成的覆盖所述隐埋的绝缘区的层；

使用所述层的第一部分并且覆盖所述绝缘区且覆盖所述基质的第一表面所形成的源区；

使用所述层的第二部分并且覆盖所述绝缘区且覆盖所述基质的第二表面所形成的漏区；和

使用所述层的第三部分形成的通道，所述通道在所述源区与所述漏区之间横跨。

18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述装置还包含选自下组的层：所述绝缘区附近的绝缘层、半导体层和导体层。

19.一种用于检测生物学、化学或辐射物质的装置，所述装置包含：

绝缘基质；

在所述绝缘基质的部分内形成的蚀刻区；

在所述绝缘基质附近形成的半导体或金属层；

覆盖所述绝缘基质的第一表面所形成的源区；

覆盖所述绝缘基质的第二表面所形成的漏区；和

在所述源区与所述漏区之间横跨的通道。

20.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述基质选自下组：硅、绝缘体上的硅、蓝宝石上的硅、金刚砂上的硅、钻石上的硅、氮化镓、绝缘体上的氮化镓、砷化镓、绝缘体上的砷化镓、锗或绝缘体上的锗。