[发明专利]用于加速外延剥离的应变控制有效
申请号: | 201380029526.6 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN104584239B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 史蒂芬·R·福里斯特;李圭相;杰拉米·齐默尔曼 | 申请(专利权)人: | 密歇根大学董事会 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/78 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨青;穆德骏 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于外延剥离的薄膜装置,其包含柄和一个或多个配置在所述柄上的应变层,其中所述一个或多个应变层引起所述柄弯曲。本发明还公开了制造用于外延剥离的薄膜装置的方法,其包括在柄上沉积一个或多个应变层,其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种选自拉伸应变、压缩应变和近中性应变的应变。本发明还公开了用于外延剥离的方法,其包括在配置于生长基底上的牺牲层上沉积外延层;在所述生长基底和所述柄中的至少一者上沉积一个或多个应变层;使所述柄结合于所述生长基底;以及蚀刻所述牺牲层。 | ||
搜索关键词: | 应变层 生长基 剥离 沉积 薄膜装置 牺牲层 蚀刻 拉伸应变 压缩应变 外延层 配置 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于外延剥离的薄膜装置,其包含:生长基底;至少一个牺牲层;柄;和一个或多个配置在所述柄上的应变层,其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种应变,并且其中至少在蚀刻所述牺牲层牺,在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄弯曲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密歇根大学董事会,未经密歇根大学董事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380029526.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的