[发明专利]用于加速外延剥离的应变控制

权利要求书

1.一种用于外延剥离的薄膜装置，其包含：

生长基底；

至少一个牺牲层；

柄；和

一个或多个配置在所述柄上的应变层，

其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种应变，并且

其中至少在蚀刻所述牺牲层牺，在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄弯曲。

2.权利要求1的装置，其中在蚀刻所述牺牲层牺，在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄向着所述生长基底弯曲。

3.权利要求1的装置，其中在蚀刻所述牺牲层牺，在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄远离所述生长基底弯曲。

4.权利要求1的装置，其中所述一个或多个应变层由至少一种选自金属和非金属的材料组成。

5.权利要求1的装置，其中所述一个或多个应变层由至少一种选自铱、金、镍、银、铜、钨、铂、钯、钽、钼、铬和含有任何上述金属的合金的金属组成。

6.一种用于外延剥离的薄膜装置，其包含：

生长基底，

柄，

一个或多个配置在所述生长基底和所述柄中的至少一者上的应变层，和

配置在所述生长基底上的牺牲层和外延层，

其中将其上任选配置有一个或多个应变层的柄结合于所述生长基底，

其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种应变，并且

其中至少在蚀刻所述牺牲层牺，在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄弯曲。

7.权利要求6的装置，其中在蚀刻所述牺牲层牺，在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄向着所述生长基底弯曲。

8.权利要求6的装置，其中在蚀刻所述牺牲层牺，在所述柄上的所述至少一种应变引起所述柄远离所述生长基底弯曲。

9.权利要求6的装置，其中将所述一个或多个应变层配置在所述生长基底和所述柄上。

10.权利要求6的装置，其中所述一个或多个应变层由至少一种选自铱、金、镍、银、铜、钨、铂、钯、钽、钼、铬和含有任何上述金属的合金的金属组成。

11.权利要求1或6的装置，其中所述薄膜装置是太阳能电池器件。

12.权利要求1或6的装置，其中所述至少一个牺牲层包含砷化铝、砷化铝合金、或其组合。

13.权利要求1或6的装置，其中所述至少一个牺牲层的厚度在1nm至200nm的范围内。

14.权利要求1或6的装置，其中所述至少一个应变层的厚度在0.1nm至10000nm的范围内。

15.权利要求1的装置，其中所述一个或多个应变层由至少一种选自半导体和介电质的材料组成。