[发明专利]自适应电荷平衡的边缘终端有效
| 申请号： | 201380028630.3 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104508826B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 迪瓦·N·巴达纳亚克;纳维恩·蒂皮勒内尼 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,谢栒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一实施例中，半导体器件可以包括包含第一类型掺杂剂的衬底。所述半导体器件还可以包括外延层，其位于所述衬底上并且包括比所述衬底掺杂浓度低的第一类型掺杂剂。此外，所述半导体器件可以包括结扩展区域，其位于所述外延层中并且包括第二类型掺杂剂。进一步地，所述半导体器件可以包括一组场环，其与所述结扩展区域物理接触并且包括比所述结扩展区域掺杂浓度高的第二类型掺杂剂。而且，所述半导体器件可包括与所述一组场环物理接触的边缘终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 电荷 平衡 边缘 终端 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括第一类型掺杂剂；外延层，位于所述衬底上且包括比所述衬底更低浓度的所述第一类型掺杂剂；边缘终端，包括：结扩展区域，位于所述外延层中且包括第二类型掺杂剂；场环，形成于所述结扩展区域中，所述场环包括比所述结扩展区域更高浓度的所述第二类型掺杂剂；场板，形成于所述场环上方并且与所述场环物理接触，所述场板包括金属和多晶硅，所述金属和所述多晶硅都形成于所述结扩展区域上并延伸至所述结扩展区域之外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维西埃-硅化物公司，未经维西埃-硅化物公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380028630.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种DNA粗提纯吸附柱
- 下一篇：一种不锈钢色谱柱装置
- 同类专利
- 专利分类
