[发明专利]自适应电荷平衡的边缘终端

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一类型掺杂剂；

外延层，位于所述衬底上且包括比所述衬底更低浓度的所述第一类型掺杂剂；

边缘终端，包括：

结扩展区域，位于所述外延层中且包括第二类型掺杂剂；

场环，形成于所述结扩展区域中，所述场环包括比所述结扩展区域更高浓度的所述第二类型掺杂剂；

场板，形成于所述场环上方并且与所述场环物理接触，所述场板包括金属和多晶硅，所述金属和所述多晶硅都形成于所述结扩展区域上并延伸至所述结扩展区域之外。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述边缘终端进一步包括一组金属场板。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述边缘终端进一步包括一组多晶硅场板。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结扩展区域包括横向上变化掺杂的所述第二类型掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场板与所述结扩展区域欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述边缘终端进一步包括设置于所述外延层中的浴缸区域并包括所述第二类型掺杂剂，所述浴缸区域与所述结扩展区域接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述浴缸区域比所述结扩展区域更深。

8.一种半导体器件的边缘终端的制备方法，包括：

在半导体器件的边缘终端的外延层的上表面中形成结扩展区域，其中所述外延层包括第一类型掺杂剂且所述结扩展区域包括第二类型掺杂剂；

在所述结扩展区域中形成凹槽；

在所述凹槽中形成场环，所述场环包括比所述结扩展区域更高浓度的所述第二类型掺杂剂；以及

形成位于所述场环上方并且与所述场环物理接触的场板，所述场板包括金属和多晶硅，所述金属和所述多晶硅都形成于所述结扩展区域上并延伸至所述结扩展区域之外，所述边缘终端包括所述场环和所述场板。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述边缘终端中制作一组金属场板。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述边缘终端中制作一组多晶硅场板。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述结扩展区域包括横向上变化掺杂的所述第二类型掺杂剂。

12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

形成位于所述边缘终端的所述外延层中的第二类型掺杂剂的浴缸区域，所述浴缸区域与所述结扩展区域接触。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述浴缸区域比所述结扩展区域更深。