[发明专利]接合装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 201380027777.0 | 申请日: | 2013-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN104335337B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 谷大辅;高桥浩一 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
| 地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供一种接合装置及半导体装置的制造方法。本发明的倒装芯片接合装置(500)是在设置有第一贯通电极的第一层的半导体芯片(20)之上,将在与第一贯通电极对应的位置设置有第二贯通电极的第二层的半导体芯片(30)加以层叠接合,其具备双视野摄影机(16),拍摄半导体芯片(20)、(30)的影像;以及控制部(50);控制部(50)具备相对位置检测程序(53),所述相对位置检测程序(53)根据在层叠接合前双视野摄影机(16)所拍摄的第一层的半导体芯片(20)表面的第一贯通电极的影像以及在层叠接合后双视野摄影机(16)所拍摄的第二层的半导体芯片(30)表面的第二贯通电极的影像,检测已层叠接合的各层的半导体芯片(20)、(30)的相对位置。由此,以简便方法高精度地连接贯通电极。 | ||
| 搜索关键词: | 接合 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种接合装置,其特征在于,具备:摄影机,拍摄半导体芯片的影像;以及控制部,进行所述摄影机拍摄后的影像的影像处理与接合控制,所述接合控制是在设置有第一贯通电极的第一层的半导体芯片上,将在与所述第一贯通电极对应的位置设置有第二贯通电极的第二层的半导体芯片加以层叠接合;接合载台,吸附固定所述第一层的半导体芯片;接合工具,在前端吸附所述第二层的半导体芯片,使所述第二层的半导体芯片接合于所述第一层的半导体芯片;以及驱动机构,驱动所述接合载台或是所述接合工具,所述控制部具备:相对位置检测单元,所述相对位置检测单元根据在层叠接合前通过所述摄影机所拍摄的第一层的半导体芯片表面的所述第一贯通电极的影像、以及在层叠接合后通过所述摄影机所拍摄的第二层的半导体芯片表面的所述第二贯通电极的影像,检测已层叠接合的所述各层的半导体芯片的相对位置;以及驱动机构介面,根据所检测的所述相对位置控制所述驱动机构,并驱动所述接合载台或是所述接合工具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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