[发明专利]接合装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种接合装置，其特征在于，具备：

摄影机，拍摄半导体芯片的影像；以及

控制部，进行所述摄影机拍摄后的影像的影像处理与接合控制，所述接合控制是在设置有第一贯通电极的第一层的半导体芯片上，将在与所述第一贯通电极对应的位置设置有第二贯通电极的第二层的半导体芯片加以层叠接合；

接合载台，吸附固定所述第一层的半导体芯片；

接合工具，在前端吸附所述第二层的半导体芯片，使所述第二层的半导体芯片接合于所述第一层的半导体芯片；以及

驱动机构，驱动所述接合载台或是所述接合工具，

所述控制部具备：

相对位置检测单元，所述相对位置检测单元根据在层叠接合前通过所述摄影机所拍摄的第一层的半导体芯片表面的所述第一贯通电极的影像、以及在层叠接合后通过所述摄影机所拍摄的第二层的半导体芯片表面的所述第二贯通电极的影像，检测已层叠接合的所述各层的半导体芯片的相对位置；以及

驱动机构介面，根据所检测的所述相对位置控制所述驱动机构，并驱动所述接合载台或是所述接合工具。

2.根据权利要求1所述的接合装置，其中，所述相对位置，是在所述第一层的半导体芯片表面上的沿着基准轴方向或与所述基准轴正交方向的第二层的半导体芯片的位置偏移、或相对于所述基准轴的所述第二层的半导体芯片的旋转角度的任一个或多个的组合。

3.根据权利要求1所述的接合装置，其中，所述第一层的半导体芯片与所述第二层的半导体芯片为相邻二层的所述各半导体芯片。

4.根据权利要求2所述的接合装置，其中，所述第一层的半导体芯片与所述第二层的半导体芯片为相邻二层的各半导体芯片。

5.根据权利要求1所述的接合装置，其中，所述第一层的半导体芯片为起始层的半导体芯片，所述第二层的半导体芯片为已层叠接合于所述起始层的半导体芯片上侧的另一半导体芯片。

6.根据权利要求2所述的接合装置，其中，所述第一层的半导体芯片为起始层的半导体芯片，所述第二层的半导体芯片为已层叠接合于所述起始层的半导体芯片上侧的另一半导体芯片。

7.根据权利要求1所述的接合装置，其中，所述控制部，具有：

第一摄影单元，在层叠接合前通过所述摄影机拍摄所述第一层的半导体芯片表面的所述第一贯通电极的影像；

第一接合单元，使在层叠接合前通过所述摄影机所拍摄的所述第一层的半导体芯片表面的第一对准标记与在层叠接合前通过所述摄影机所拍摄的第二层的半导体芯片背面的第二对准标记的位置对准后，将所述第二层的半导体芯片层叠接合于所述第一层的半导体芯片上；

第二摄影单元，在通过所述第一接合单元进行层叠接合后，通过所述摄影机拍摄所述第二层的半导体芯片表面的所述第二贯通电极的影像；以及

偏置量设定单元，根据通过所述第一摄影单元所拍摄的所述第一贯通电极的影像以及通过所述第二摄影单元所拍摄的所述第二贯通电极的影像，检测所述各层的半导体芯片的相对位置，将检测出的相对位置设定为层叠接合时的偏置量。

8.根据权利要求7所述的接合装置，其中，所述控制部，具备：

第二接合单元，使所述第二层的半导体芯片从所述第二对准标记与所述第一对准标记对准的位置错开以所述偏置量设定单元设定的所述偏置量后，层叠接合于所述第一层的半导体芯片上；

第三摄影单元，在通过所述第二接合单元进行层叠接合后，通过所述摄影机拍摄所述第二层的半导体芯片表面的所述第二贯通电极的影像；以及

偏移量检测单元，根据通过所述第一摄影单元所拍摄的所述第一贯通电极的影像以及通过所述第三摄影单元所拍摄的所述第二贯通电极的影像，检测所述各层的半导体芯片的相对位置的偏移量。

9.根据权利要求8所述的接合装置，其中，所述控制部具备偏置量修正单元，所述偏置量修正单元，在以所述偏移量检测单元检测出的偏移量是未满第一阈值且第二阈值以上的情形，以所述偏移量的既定比例修正所述偏置量。