[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物、薄膜晶体管、显示装置及溅射靶

摘要

在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，提供一种半导体层用氧化物，其在维持高场效应迁移率的同时，对光、偏压应力等而言，阈值电压的变化量小，应力耐性优异，并且对于使源/漏电极图案化时所使用的湿式蚀刻液具有优异的耐性。该半导体层用氧化物为在薄膜晶体管的半导体层中所使用的氧化物，其由In、Zn、Ga、Sn及O构成，在上述氧化物中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的含量(原子％)分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)～(4)。1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥100…(1)；([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100…(2)；[In]≤40…(3)；[Sn]≥5…(4)。

主权项

1.一种半导体层用氧化物薄膜，其特征在于，其是用于在基板上具备源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层及保护膜的薄膜晶体管的半导体层中的氧化物薄膜，所述氧化物薄膜由In、Zn、Ga、Sn及O构成，并且在所述氧化物薄膜中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的原子百分比含量分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)、(2)、(5)～(8)，即1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥106.9···(1)；([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100···(2)；12≤[In]≤18···(5)；17≤[Sn]≤25···(6)；15≤[Ga]≤20···(7)；40≤[Zn]≤50···(8)，并且，所述氧化物薄膜的密度为6.0g/cm3以上。