[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物、薄膜晶体管、显示装置及溅射靶有效
| 申请号： | 201380027070.X | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104335354B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;广濑研太;三木绫;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 显示装置 溅射 | ||
1.一种半导体层用氧化物薄膜，其特征在于，其是用于在基板上具备源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层及保护膜的薄膜晶体管的半导体层中的氧化物薄膜，
所述氧化物薄膜由In、Zn、Ga、Sn及O构成，并且
在所述氧化物薄膜中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的原子百分比含量分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)、(2)、(5)～(8)，即
1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥106.9···(1)；
([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100···(2)；
12≤[In]≤18···(5)；
17≤[Sn]≤25···(6)；
15≤[Ga]≤20···(7)；
40≤[Zn]≤50···(8)，
并且，所述氧化物薄膜的密度为6.0g/cm3以上。
2.根据权利要求1所述的半导体层用氧化物薄膜，其载流子密度为1×1015～1×1017/cm3。
3.一种薄膜晶体管，其特征在于，其具备权利要求1或2所述的半导体层用氧化物薄膜作为薄膜晶体管的半导体层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层的密度为6.0g/cm3以上。
5.一种将溅射靶用于形成权利要求1或2所述的半导体层用氧化物薄膜的用途，
所述溅射靶包含In、Zn、Ga及Sn，将各金属元素相对于全部金属元素的原子百分比含量分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)、(2)、(5)～(8)，即
1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥106.9···(1)；
([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100···(2)；
12≤[In]≤18···(5)；
17≤[Sn]≤25···(6)；
15≤[Ga]≤20···(7)；
40≤[Zn]≤50···(8)。
6.一种显示装置，其特征在于，其具备权利要求3所述的薄膜晶体管。
7.一种显示装置，其特征在于，其具备权利要求4所述的薄膜晶体管。
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