[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201380026349.6 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104335343A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 川北晃司;泽田享;中谷诚一;山下嘉久 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/28;H01L23/36;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具有半导体元件以及与半导体元件电连接的金属缓冲层而构成。在本发明的半导体装置中，以金属缓冲层和半导体元件相互面接触这样的形态连接了金属缓冲层和半导体元件。此外，金属缓冲层成为在向二次安装基板的安装中使用的外部连接端子，并且也成为在二次安装基板与半导体元件之间具有应力缓和作用的缓冲构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，构成为具有：半导体元件；和金属缓冲层，与所述半导体元件电连接，以所述金属缓冲层和所述半导体元件相互面接触这样的形态连接了该金属缓冲层和该半导体元件，而且所述金属缓冲层成为在向二次安装基板的安装中使用的外部连接端子，并且成为在该二次安装基板与所述半导体元件之间具有应力缓和作用的缓冲构件。
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