[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，构成为具有：

半导体元件；和

金属缓冲层，与所述半导体元件电连接，

以所述金属缓冲层和所述半导体元件相互面接触这样的形态连接了该金属缓冲层和该半导体元件，而且

所述金属缓冲层成为在向二次安装基板的安装中使用的外部连接端子，并且成为在该二次安装基板与所述半导体元件之间具有应力缓和作用的缓冲构件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述金属缓冲层构成了对所述半导体元件进行支承的支承层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

按照从所述半导体元件突出的方式设置了所述金属缓冲层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述金属缓冲层的厚度为50μm以上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述金属缓冲层中，其具有的结晶粒子构造局部性不同，半导体元件侧的缓冲层区域中的平均结晶粒径小于二次安装基板侧的缓冲层区域中的平均结晶粒径。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件侧的所述缓冲层区域中的所述平均结晶粒径为5μm以下，所述二次安装基板侧的所述缓冲层区域中的所述平均结晶粒径为10μm以上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述金属缓冲层通过在其母材中包含至少一种以上的粒子而构成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述母材中包含的所述粒子为金属粒子。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述母材中包含的所述粒子为绝缘性粒子。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

在所述金属缓冲层中，所述粒子的含有率局部性不同，半导体元件侧的缓冲层区域中的粒子含有率大于二次安装基板侧的缓冲层区域中的粒子含有率。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述金属缓冲层通过在其母材中包含至少一种以上的粒子而构成，而且

所述金属缓冲层的所述母材由镀覆层构成，在该镀覆层中含有所述粒子。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述金属缓冲层的周围设有第1绝缘部，在所述半导体元件的周围设有第2绝缘部。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述金属缓冲层以及所述第1绝缘部构成了所述支承层。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件具有多个电极，按照与该电极电连接的方式设置有多个所述金属缓冲层，而且

在相邻的所述金属缓冲层之间至少设有所述第1绝缘部。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，

设置在所述相邻的所述金属缓冲层之间的所述第1绝缘部的局部区域由窄幅部分和宽幅部分这两个区域部分构成。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置构成为还具有设置在所述金属缓冲层上的反射层，

隔着所述反射层的至少一部分而所述半导体元件和所述金属缓冲层按照进行所述面接触的方式被连接。

17.一种半导体装置的制造方法，包括：

(i)准备半导体元件的工序；和

(ii)按照与所述半导体元件电连接的方式形成金属缓冲层的工序，

在所述工序(ii)中，按照所述金属缓冲层和所述半导体元件相互面接触的方式形成了所述金属缓冲层，该金属缓冲层成为在向二次安装基板的安装中使用的外部连接端子，并且成为在该二次安装基板与所述半导体元件之间具有应力缓和作用的缓冲构件。

18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序(ii)中，将用于形成所述金属缓冲层的基底形成在所述半导体元件上之后，以隔着该基底而与所述半导体元件进行所述面接触这样的形态来形成所述金属缓冲层。