[发明专利]用廉价的PECVD制造的高效率太阳能电池无效
| 申请号： | 201380024927.2 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104303321A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | K·E·福格尔;A·J·宏;金志焕;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成光伏器件的方法，包括，通过采用高沉积速率等离子体增强化学气相沉积(HDR PECVD)工艺，在衬底上沉积(302)光伏叠层的一个或多个层。在所述光伏叠层上形成接触(306)，以提供光伏电池。在配置为改善总性能的温度和时长下，在所述光伏电池上进行退火(310)。 | ||
| 搜索关键词： | 廉价 pecvd 制造 高效率 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种用于形成光伏器件的方法，包括：通过采用高沉积速率等离子体增强化学气相沉积(HDR PECVD)工艺，在衬底上沉积(302)光伏叠层的一个或多个层；在所述光伏叠层上形成(306)接触，以提供光伏电池；以及以配置为改善总性能的温度和时长，将所述光伏电池退火(310)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
