[发明专利]用廉价的PECVD制造的高效率太阳能电池

权利要求书

1.一种用于形成光伏器件的方法，包括：

通过采用高沉积速率等离子体增强化学气相沉积(HDR PECVD)工艺，在衬底上沉积(302)光伏叠层的一个或多个层；

在所述光伏叠层上形成(306)接触，以提供光伏电池；以及

以配置为改善总性能的温度和时长，将所述光伏电池退火(310)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个层包括在所述衬底上形成的透明电极和所述光伏叠层的p-型层之间的缓冲层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述HDR PECVD工艺包括3埃每秒或者更大的沉积速率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述HDR PECVD工艺包括在约1mTorr和约90mTorr之间的真空压力。

5.根据权利要求1所述的方法，其中退火包括在约5分钟和约10分钟之间的时长。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在所述退火之前测试所述光伏电池和施加所述退火以基于所述光伏电池的特性来优化所述光伏电池的性能。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光伏电池的所述特性包括材料、尺寸和所采用的用于形成的工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述HDR PECVD工艺包括在约100mW/cm²和约10W/cm²之间的功率。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度包括在约155摄氏度和约250摄氏度之间的范围。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光伏电池包括整体地形成的大于0.25平方英尺的辐射吸收区域。

11.一种用于形成光伏器件的方法，包括：

在透明衬底的透明电极上沉积(302)p-型层；

在所述p-型层上沉积(302)本征层；

在本征层上沉积(302)n-型层，其中，至少所述p-型层、所述本征层和所述n-型层被通过采用高沉积速率等离子体增强化学气相沉积(HDR PECVD)工艺而沉积，以在所述衬底上形成光伏叠层；

在所述n-型层光伏叠层上形成(306)接触，以提供光伏电池；以及

在约155和250摄氏度之间的温度下，将所述光伏电池退火(310)，以改善总性能。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光伏叠层包括设置在所述透明电极和所述p-型层之间的缓冲层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述HDR PECVD工艺包括3埃每秒或者更大的沉积速率。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述HDR PECVD工艺包括在约1mTorr和约90mTorr之间的真空压力。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，快速热退火包括在约5分钟和约10分钟之间的时长。

16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在退火之前测试所述光伏电池和施加所述退火以基于所述光伏电池的特性来优化所述光伏电池的性能。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述光伏电池的所述特性包括材料、尺寸和所采用的用于形成的工艺。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述HDR PECVD工艺包括在约100mW/cm²和约10W/cm²之间的功率。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光伏电池包括整体地形成的大于0.25平方英尺的辐射吸收区域。