[发明专利]碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 201380024867.4 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104285299A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 山田俊介;玉祖秀人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件(1)包括碳化硅衬底(10)和接触电极(16)。碳化硅衬底(10)包括n型区(14)和与n型区(14)接触的p型区(18)。接触电极(16)与碳化硅衬底(10)接触。接触电极(16)包括包含TiSi的第一区域(5)和包含Al的第二区域(3)。第一区域(5)包括与n型区(14)接触的n接触区(5a)和与p型区(18)接触的p接触区(5b)。第二区域(3)被形成为与p型区(18)和n型区(14)接触，并且围绕p接触区(5b)和n接触区(5a)。因此，可以提供一种碳化硅半导体器件，该碳化硅半导体器件包括允许与碳化硅衬底中形成的p型杂质区和n型杂质区二者形成欧姆接触的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括n型区和与所述n型区接触的p型区，以及接触电极，所述接触电极与所述碳化硅衬底接触，所述接触电极包括包含TiSi的第一区域和包含Al的第二区域，所述第一区域包括与所述n型区接触的n接触区和与所述p型区接触的p接触区，所述第二区域被形成为与所述p型区和所述n型区接触，并且围绕所述p接触区和所述n接触区。
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