[发明专利]碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 201380024867.4 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104285299A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 山田俊介;玉祖秀人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅半导体器件，包括：
碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括n型区和与所述n型区接触的p型区，以及
接触电极，所述接触电极与所述碳化硅衬底接触，
所述接触电极包括包含TiSi的第一区域和包含Al的第二区域，
所述第一区域包括与所述n型区接触的n接触区和与所述p型区接触的p接触区，
所述第二区域被形成为与所述p型区和所述n型区接触，并且围绕所述p接触区和所述n接触区。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述接触电极包括碳原子的数量大于硅原子的数量的区域。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第二区域被形成为覆盖所述p接触区和所述n接触区。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，当在所述接触电极中Ti原子数量是x，Al原子数量是y，并且Si原子数量是z时，x、y和z中的两个任意原子数量之比大于或等于1/3并且小于或等于3。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述p接触区和所述n接触区的每一个在与所述碳化硅衬底的主表面平行的方向上的宽度小于或等于500nm。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述接触电极进一步包括包含TiC的第三区域。
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