[发明专利]具有几何电解液流动路径的电镀处理器有效
申请号: | 201380023050.5 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN104272435A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 兰迪·A·哈里斯;丹尼尔·J·伍德拉夫;杰弗里·I·特纳;格雷戈里·J·威尔逊;保罗·R·麦克休 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;C25D17/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电镀处理器包括电极板,该电极板具有在通道内形成的连续流动路径。流动路径可视情况为盘绕形流动路径。一或更多个电极定位于通道内。薄膜板附接于电极板,两者之间具有薄膜。电解液高速穿过流动路径,防止气泡粘住薄膜的底表面。流动路径内的任何气泡均挟带在快速移动的电解液中,且从薄膜处带走。或者,电镀处理器可具有延伸穿过管状薄膜的电极线,该管状薄膜形成盘绕状或其他形状,视情况包括具有直线段的形状。 | ||
搜索关键词: | 具有 几何 电解液 流动 路径 电镀 处理器 | ||
【主权项】:
一种电镀处理器,所述电镀处理器包括:容器;电极板,所述电极板位于所述容器内,所述电极板内的通道内形成连续流动路径,且所述流动路径在所述电极板上的入口与出口之间延伸;薄膜,所述薄膜位于所述电极板上;和薄膜板,所述薄膜板附接至所述电极板,所述薄膜位于所述电极板与所述薄膜板之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380023050.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:闪烁发箍
- 下一篇:一种具有扩音功能的保护套
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造