[发明专利]具有几何电解液流动路径的电镀处理器有效
申请号: | 201380023050.5 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN104272435A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 兰迪·A·哈里斯;丹尼尔·J·伍德拉夫;杰弗里·I·特纳;格雷戈里·J·威尔逊;保罗·R·麦克休 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;C25D17/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 几何 电解液 流动 路径 电镀 处理器 | ||
1.一种电镀处理器,所述电镀处理器包括:
容器;
电极板,所述电极板位于所述容器内,所述电极板内的通道内形成连续流动路径,且所述流动路径在所述电极板上的入口与出口之间延伸;
薄膜,所述薄膜位于所述电极板上;和
薄膜板,所述薄膜板附接至所述电极板,所述薄膜位于所述电极板与所述薄膜板之间。
2.如权利要求1所述的电镀处理器,所述流动路径具有在盘绕形通道壁之间形成的环。
3.如权利要求2所述的电镀处理器,所述薄膜板具有盘绕形支座,所述盘绕形支座与所述通道壁的形状相匹配。
4.如权利要求3所述的电镀处理器,所述通道壁具有平的顶表面且所述盘绕形支座具有平的底表面,且所述薄膜夹紧于所述通道壁的所述平的顶表面与所述盘绕形支座的所述平的底表面之间。
5.如权利要求1所述的电镀处理器,进一步包括位于所述通道的底部处的平面惰性电极。
6.如权利要求5所述的电镀处理器,所述通道和所述平面电极具有矩形截面。
7.如权利要求1所述的电镀处理器,其中所述连续盘绕形流动路径是由流动段连接的螺旋或同心圆。
8.如权利要求1所述的电镀处理器,其中邻近于所述出口的所述流动路径的截面大于在所述入口处的所述流动路径的截面。
9.如权利要求3所述的电镀处理器,其中所述薄膜板具有一或更多个肋材环,且所述盘绕形支座附接至所述肋材的底表面。
10.如权利要求1所述的电镀处理器,所述通道板具有等于所述通道深度的2至5倍的厚度。
11.一种电镀处理器,所述电镀处理器包括:
容器;
电极板,所述电极板位于所述容器的底部;
盘绕形通道,所述盘绕形通道位于所述电极板的顶表面内,所述盘绕形通道在盘绕形通道壁之间形成盘绕形流动路径;
电解液入口和电解液出口,所述电解液入口和所述电解液出口位于所述电极板内,所述盘绕形流动路径连接所述电解液入口至所述电解液出口;
至少一个电极,所述至少一个电极位于所述盘绕形通道内;
薄膜板,所述薄膜板附接至所述电极板;
盘绕形支座,所述盘绕形支座位于所述薄膜板的底表面上,所述盘绕形支座对准所述通道壁;和
薄膜,所述薄膜位于所述电极板与所述薄膜板之间,且所述薄膜被压缩在所述通道壁的顶表面与所述盘绕形支座的底表面之间。
12.如权利要求11所述的电镀处理器,所述流动路径具有形成于所述通道壁之间的5至10个环。
13.如权利要求11所述的电镀处理器,所述通道壁具有平的顶表面且所述盘绕形支座具有平的底表面。
14.如权利要求11所述的电镀处理器,包括位于所述通道内的第一电极和第二电极。
15.如权利要求14所述的电镀处理器,所述第一电极和所述第二电极包括惰性电极。
16.一种电镀处理器,所述电镀处理器包括:
容器;
连续的流动路径,所述流动路径形成于管状薄膜内,所述流动路径在所述电极板上的入口与出口之间延伸;和
电极线,所述电极线通过所述管状薄膜延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造