[发明专利]半导体装置

摘要

在活性区(100a)中，在n⁺半导体基板(1)上的n^‑漂移层(2)的表面层，选择性地设置p⁺区(3)。在n^‑漂移层(2)以及p⁺区(3)的表面设置p基极层(4)，在p基极层(4)设置MOS构造。在活性区(100a)的其他部分，在p⁺区(3)上设置与源极电极(10)相接的p⁺区(33)。在耐压构造区(100b)，按照包围活性区(100a)的方式，至少由p^‑区(21)构成的JTE构造(13)设为与p⁺区(3)以及p基极层(4)远离。在活性区(100a)和耐压构造区(100b)的边界附近的、未形成MOS构造的部分，p^‑区(21)与p⁺区(33)相接。由此，能够提供具有稳定地表现出高耐压特性的元件构造、且导通电阻低的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：设置在半导体基板的活性区、和按照包围所述活性区的方式设置在所述半导体基板的耐压构造区，所述半导体装置的特征在于，所述活性区具备：第1导电型半导体层，设置在所述半导体基板上，且杂质浓度比所述半导体基板低；第1的第2导电型半导体区，选择性地设置在所述第1导电型半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧的表面层，使得到达所述活性区与所述耐压构造区的边界；输入电极，与所述第1的第2导电型半导体区电连接；正面元件构造，由第4的第1导电型半导体区、第2导电型接触区、第5的第1导电型半导体区、栅极绝缘膜以及栅极电极构成；输出电极，设置在所述半导体基板的背面；和第2的第2导电型半导体区，在除了设有所述正面元件构造的区域之外的区域，与所述第1的第2导电型半导体区相接，且设置至所述活性区与所述耐压构造区的边界位置为止，所述耐压构造区具备：多个第3的第2导电型半导体区，在所述第1导电型半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧的表面层，与所述活性区和所述耐压构造区之间的边界远离而设置，其杂质浓度比所述第1的第2导电型半导体区低，所述第2的第2导电型半导体区与所述输入电极相接，多个所述第3的第2导电型半导体区之中至少最靠所述活性区侧的所述第3的第2导电型半导体区，在所述活性区和所述耐压构造区的边界附近，与所述第2的第2导电型半导体区电连接。