[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：设置在半导体基板的活性区、和按照包围所述活性区的方式设置在所述半导体基板的耐压构造区，所述半导体装置的特征在于，

所述活性区具备：

第1导电型半导体层，设置在所述半导体基板上，且杂质浓度比所述半导体基板低；

第1的第2导电型半导体区，选择性地设置在所述第1导电型半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧的表面层，使得到达所述活性区与所述耐压构造区的边界；

输入电极，与所述第1的第2导电型半导体区电连接；

正面元件构造，由第4的第1导电型半导体区、第2导电型接触区、第5的第1导电型半导体区、栅极绝缘膜以及栅极电极构成；

输出电极，设置在所述半导体基板的背面；和

第2的第2导电型半导体区，在除了设有所述正面元件构造的区域之外的区域，与所述第1的第2导电型半导体区相接，且设置至所述活性区与所述耐压构造区的边界位置为止，

所述耐压构造区具备：多个第3的第2导电型半导体区，在所述第1导电型半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧的表面层，与所述活性区和所述耐压构造区之间的边界远离而设置，其杂质浓度比所述第1的第2导电型半导体区低，

所述第2的第2导电型半导体区与所述输入电极相接，

多个所述第3的第2导电型半导体区之中至少最靠所述活性区侧的所述第3的第2导电型半导体区，在所述活性区和所述耐压构造区的边界附近，与所述第2的第2导电型半导体区电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述正面元件构造构成为还包括：第2导电型半导体层，设置在所述第1导电型半导体层以及所述第1的第2导电型半导体区之上，且杂质浓度比所述第1的第2导电型半导体区低；

所述第4的第1导电型半导体区选择性地形成在所述第2导电型半导体层的与所述第1的第2导电型半导体区侧相反的一侧的表面层，

所述第5的第1导电型半导体区在深度方向上贯通所述第2导电型半导体层并到达所述第1导电型半导体层，

所述栅极电极隔着栅极绝缘膜而设置在所述第2导电型半导体层的被所述第4的第1导电型半导体区和所述第5的第1导电型半导体区夹着的部分的表面，

所述输入电极与所述第4的第1导电型半导体区以及所述第2导电型半导体层相接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述第3的第2导电型半导体区与所述第1的第2导电型半导体区以及所述第2导电型半导体层远离而设置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述第3的第2导电型半导体区之中至少最靠所述活性区侧的所述第3的第2导电型半导体区的所述活性区侧的端部、和所述第1的第2导电型半导体区的所述耐压构造区的端部之间的距离为20μm以下。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述第3的第2导电型半导体区之中至少最靠所述活性区侧的所述第3的第2导电型半导体区的所述活性区侧的端部、和所述第2导电型半导体层的所述耐压构造区的端部之间的距离为20μm以下。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2导电型半导体层是通过外延生长法形成的外延层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1导电型半导体层是通过外延生长法形成的外延层。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1的第2导电型半导体区、所述第4的第1导电型半导体区、所述第5的第1导电型半导体区是通过离子注入法形成的杂质扩散区。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板为碳化硅。