[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380021025.3 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104704611A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 前山雄介;渡部善之;中村俊一 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的碳化硅半导体装置的制造方法按以下顺序包括：在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将热氧化膜从SiC基板的一个表面上去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，将在SiC基板的一个表面上形成的Si-N结合体及C-N结合体去除，从而在SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。通过本发明，不实施高温退火工序，便能够在SiC层的表面上形成欧姆电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：第一工序，在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向所述SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将所述热氧化膜从所述SiC基板的一个表面去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到所述SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，在向所述SiC基板的一个表面导入高浓度的氮的过程中将在所述SiC基板的一个表面上形成的Si‑N结合体及C‑N结合体去除，从而在所述SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在所述SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社;，未经新电元工业株式会社;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380021025.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
