[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201380018474.2 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104205341B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 伊东一笃;高丸泰;宫本忠芳;宫本光伸;中泽淳;小川康行;内田诚一;森重恭 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/41;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件(100)具备栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：基板；在所述基板之上形成的栅极电极；在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；氧化物层，其形成在所述栅极绝缘层之上，包含第一半导体区域和第一导电体区域，所述第一半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；源极电极，其以与所述氧化物层的所述第一半导体区域的上表面接触的方式形成；漏极电极，其以与所述氧化物层的所述第一半导体区域的上表面接触的方式形成，且与所述第一导电体区域电连接；和导电层，其以与所述氧化物层的上表面接触的方式形成，且具有多个开口部或缺口部，所述导电层包含与所述源极电极连接的配线，所述氧化物层包含在所述导电层的所述多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域，所述配线与所述氧化物层的所述第一半导体区域和所述第二导电体区域两者接触。
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