[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

基板；

在所述基板之上形成的栅极电极；

在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；

氧化物层，其形成在所述栅极绝缘层之上，包含第一半导体区域和第一导电体区域，所述第一半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；

源极电极，其以与所述氧化物层的所述第一半导体区域的上表面接触的方式形成；

漏极电极，其以与所述氧化物层的所述第一半导体区域的上表面接触的方式形成，且与所述第一导电体区域电连接；和

导电层，其以与所述氧化物层的上表面接触的方式形成，且具有多个开口部或缺口部，

所述导电层包含与所述源极电极连接的配线，

所述氧化物层包含在所述导电层的所述多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域，

所述配线与所述氧化物层的所述第一半导体区域和所述第二导电体区域两者接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具备覆盖所述导电层的绝缘层，在至少一部分的所述开口部内或缺口部内，所述多个第二导电体区域的上表面的一部分与所述绝缘层接触。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具备端子部，

所述导电层包含配置于所述端子部的源极连接层，所述源极连接层包含所述多个开口部或缺口部的至少一部分，

所述端子部包含外部连接层，该外部连接层与所述源极连接层的上表面接触，并且，在所述至少一部分的开口部内或缺口部与所述多个第二导电体区域的至少一部分接触。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述导电层具有网状或条纹状的图案。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具备端子部，

所述氧化物层还具有位于所述端子部的其它导电体区域，

所述端子部包含与所述其它导电体区域的上表面接触的外部连接层。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述导电层与所述源极电极以及所述漏极电极由同一导电膜形成。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具备：

形成在所述源极电极和所述漏极电极之上的上部绝缘层；和

形成在所述上部绝缘层之上的上部透明电极，

所述上部透明电极的至少一部分隔着所述上部绝缘层与所述第一导电体区域重叠。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述氧化物层包含In、Ga和Zn。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述多个第二导电体区域和所述第一导电体区域以比所述第一半导体区域高的浓度包含杂质。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含：

工序(A)，准备在表面形成有栅极电极和栅极绝缘层的基板；

工序(B)，在所述栅极绝缘层之上形成氧化物半导体层以及与所述氧化物半导体层的上表面接触的源极电极、漏极电极和导电层，所述导电层具有使所述氧化物半导体层的上表面露出的多个开口部或缺口部；

工序(C)，形成至少覆盖所述氧化物半导体层中的成为沟道区域的区域的保护层；和

工序(D)，进行使所述氧化物半导体层的一部分低电阻化的低电阻化处理，形成包含第一导电体区域、第一半导体区域和多个第二导电体区域的氧化物层，其中，所述第一半导体区域包含沟道区域，所述第一导电体区域形成在所述氧化物半导体层中的既没有被所述保护层覆盖也没有被所述导电层覆盖的部分，所述多个第二导电体区域形成在所述氧化物半导体层中的通过所述导电层的所述多个开口部或缺口部露出的部分，所述第一半导体区域形成在所述氧化物半导体层中的没有被低电阻化的部分。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述导电层包含配线，所述配线包含所述多个开口部或缺口部的至少一部分。