[发明专利]多结太阳能电池装置的制造在审
| 申请号： | 201380016920.6 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104205362A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;F·迪姆罗特;M·格雷夫 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0304;C30B33/06;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置最终基础衬底；设置包括第一拉链层与第一晶种层的第一创制衬底；设置第二衬底；将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且使所述第一晶片结构与所述第二晶片结构相互结合。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置最终基础衬底；设置第二衬底；将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且将所述至少一个第二太阳能电池结合至所述第一晶片结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
