[发明专利]多结太阳能电池装置的制造

权利要求书

1.一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：

设置最终基础衬底；

设置第二衬底；

将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；

在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少 一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；

在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且

将所述至少一个第二太阳能电池结合至所述第一晶片结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一晶片结构与所述第二晶片结构 相互结合的步骤包括将所述第二衬底结合至所述至少一个第一太阳能电池层，在所述 第二衬底上形成有所述至少一个第二太阳能电池层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一晶片结构与所述第二晶片结构 相互结合的步骤包括将所述至少一个第二太阳能电池层直接结合至所述至少一个第 一太阳能电池层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述第一晶种层传送至所述 最终基础衬底的步骤包括如下步骤：将第一衬底结合至所述最终基础衬底，并且在注 入层处拆卸所述第一衬底的一部分。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括：在所述第二衬底上形 成第二晶种层，并且随后在所述第二晶种层上形成所述至少一个第二太阳能电池层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括将所述第二晶片结构结 合至装卸衬底、移除所述第二衬底，并且其中，将所述第二太阳能电池结合至所述第 一晶片结构的步骤包括将所述装卸衬底结合至所述至少一个太阳能电池层上，在所述 装卸衬底上形成有所述至少一个第二太阳能电池层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二衬底是块材衬底或创 制衬底，所述块材衬底特别是GaAs或Ge块材衬底，所述创制衬底特别是包括拉链 层、蓝宝石基底以及GaAs或Ge晶种层的创制衬底，在所述GaAs或Ge晶种层上将 形成所述至少一个第二太阳能电池层。

8.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括在所述第一晶片结构与所述第二晶 片结构相互结合后拆卸所述第二创制衬底的所述蓝宝石基底。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个第一太阳能电池 层包括第一层和位于所述第一层上的第二层，并且/或者所述至少一个第二太阳能电 池层包括第三层和位于所述第三层上的第四层。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个第一太阳能电池层包括第 一层和位于所述第一层上的第二层，并且/或者所述至少一个第二太阳能电池层包括 第三层和位于所述第三层上的第四层，并且其中，所述第一层包括GalnAs或由GalnAs 组成，并且/或者所述第二层包括GalnAsP或由GalnAsP组成，并且/或者所述第三层 包括GaAs或由GaAs组成，并且/或者所述第四层包括GalnP或由GalnP组成。

11.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个第一太阳能电池层包括第 一层和位于所述第一层上的第二层，并且/或者所述至少一个第二太阳能电池层包括 第四层和位于所述第四层上的第三层，并且其中，所述第一层包括GalnAs或由GalnAs 组成，并且/或者所述第二层包括GalnAsP或由GalnAsP组成，并且/或者所述第三层 包括GaAs或由GaAs组成，并且/或者所述第四层包括GalnP或由GalnP组成。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述最终基础衬底由Mo、W、 Ge、GaAs或InP制成。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，该方法还包括：

形成所述至少一个第一太阳能电池层与所述至少一个第二太阳能电池层的台面；

并且在所述至少一个第二太阳能电池层的自由主表面上形成触头。