[发明专利]干蚀刻方法有效
| 申请号： | 201380016736.1 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104205308A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 佐藤宗之;竹井日出夫;池田智;坂尾洋介;大竹文人 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种干蚀刻方法，用于在硅基板表面形成纹理结构，所述干蚀刻方法，其特征在于，包含：第一工序，其向配置了硅基板的减压下的成膜室内导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力进一步蚀刻硅基板表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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