[发明专利]干蚀刻方法

权利要求书

1.一种干蚀刻方法，用于在硅基板表面形成纹理结构，所述干蚀刻方法，其特 征在于，包含：

第一工序，其向配置了硅基板的减压下的成膜室内导入含有含氟气体、含 卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及

第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成 膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力进一步蚀刻硅基 板表面。

2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于：

还包含第三工序，其向配置了已在第二工序中蚀刻完了的硅基板的、减压 下的成膜室内，导入以含氟气体和含卤气体中任意一种为主要成分并在其中添 加了氧气的第三蚀刻气体，施加放电用电力进一步蚀刻硅基板表面。

3.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法，其特征在于：

在同一处理室内，不停止施加放电用电力，停止向该处理室内导入第一蚀刻 气体中的含卤气体和氧气，从第一蚀刻气体切换到第二蚀刻气体，连续进行第 一工序和第二工序。

4.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法，其特征在于：

在同一处理室内，不停止施加放电用电力，再次开始导入氧气，从第二蚀 刻气体切换到第三蚀刻气体，连续进行第二工序和第三工序。

5.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于：

还包含第三工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压 下的成膜室内，导入以含氟气体和含卤气体中任意一种为主要成分并在其中添 加了氧气的第三蚀刻气体，施加放电用电力进一步蚀刻硅基板表面；

通过第二工序进一步蚀刻已在第三工序中蚀刻完了的硅基板表面。

6.根据权利要求5所述的干蚀刻方法，其特征在于：

在同一处理室内，不停止施加放电用电力，停止向该处理室内导入第一蚀 刻气体中的含氟气体和含卤气体中任意一种，从第一蚀刻气体切换到第三蚀刻 气体，连续进行第一工序和第三工序。

7.根据权利要求5或6所述的干蚀刻方法，其特征在于：

在同一处理室内，不停止施加放电用电力，从第三蚀刻气体切换到第二蚀 刻气体，连续进行第三工序和第二工序。

8.根据权利要求2或5所述的干蚀刻方法，其特征在于：

通过具有流量控制装置的单一气体导入系统导入第一工序及第三工序中的 氧气，控制流量控制装置将第一工序中的氧流量比控制在10～40％的范围，将 第三工序中的氧流量比控制在5～60％的范围。