[发明专利]用于制造具有镀敷触点的光伏电池的方法有效
| 申请号： | 201380013963.9 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104170095B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | P·雅弗雷努;A·乌鲁埃纳 德 卡斯特罗 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;道达尔销售服务公司;鲁汶天主教大学研究开发部 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈小刚 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 一种用于制造具有半导体基板的表面上的金属触点图案的光伏电池的方法，所述方法包括：根据所述金属触点图案在预定位置处通过第一激光在局部平滑所述半导体基板的所述表面；在所述半导体基板的所述表面处形成发射极区；在所述半导体基板的所述表面上提供介电层；通过第二激光形成贯穿所述介电层的开口，从而在与所述金属触点图案相对应的位置处局部地暴露所述半导体基板的底层表面；以及通过镀敷在所述半导体基板的所述表面的暴露区处提供金属触点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 触点 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有半导体基板的表面上的金属触点图案的光伏电池的方法，所述方法包括：根据所述金属触点图案在预定位置处通过第一激光在局部平滑所述半导体基板的所述表面；在所述局部平滑之后，在所述半导体基板的所述表面处形成发射极区；在形成发射极区之后，在所述半导体基板的所述表面上提供介电层；通过第二激光形成贯穿所述介电层的开口，从而在与所述金属触点图案相对应的位置处局部地暴露所述半导体基板的底层表面；以及通过镀敷在所述半导体基板的所述表面的暴露区处提供金属触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
