[发明专利]用于制造具有镀敷触点的光伏电池的方法有效
申请号: | 201380013963.9 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104170095B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | P·雅弗雷努;A·乌鲁埃纳 德 卡斯特罗 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会;道达尔销售服务公司;鲁汶天主教大学研究开发部 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈小刚 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 触点 电池 方法 | ||
1.一种用于制造具有半导体基板的表面上的金属触点图案的光伏电池的方法,所述方法包括:
根据所述金属触点图案在预定位置处通过第一激光在局部平滑所述半导体基板的所述表面;
在所述半导体基板的所述表面处形成发射极区;
在所述半导体基板的所述表面上提供介电层;
通过第二激光形成贯穿所述介电层的开口,从而在与所述金属触点图案相对应的位置处局部地暴露所述半导体基板的底层表面;以及
通过镀敷在所述半导体基板的所述表面的暴露区处提供金属触点。
2.如权利要求所述的方法,其特征在于,还包括在局部地平滑所述半导体基板的所述表面之前,在所述半导体基板的所述表面上提供表面纹理。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述半导体基板是晶体硅基板。
4.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,平滑包括至少部分地熔化所述半导体基板的所述表面。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一激光是UV激光,所述UV激光具有用于在局部至少部分地熔化所述半导体基板的合适的激光能流并具有范围在约1ns和1000ns之间的脉冲持续时间。
6.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,平滑包括提高所述半导体基板的所述表面在可见光波长范围中的平均反射率。
7.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,形成发射极区包括形成同构发射极。
8.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,形成发射极区包括形成选择性发射极,即在对应于所述金属触点图案的位置处包括高度掺杂区并且在这些预定位置之间包括较轻微掺杂区的发射极。
9.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,提供介电层包括提供包括至少两个介电层的介电层堆叠,并且其中所述介电层适于用作抗反射涂层和表面钝化。
10.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,提供金属触点包括提供金属层堆叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会;道达尔销售服务公司;鲁汶天主教大学研究开发部,未经IMEC非营利协会;道达尔销售服务公司;鲁汶天主教大学研究开发部许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的