[发明专利]先进退火工艺中减少颗粒的设备和方法在审
| 申请号： | 201380012265.7 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104160489A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 阿米科姆·萨德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄的膜。在一个实施方式中，薄膜安装在离孔构件预定距离处并覆盖在孔构件上形成的图案开口(即孔)，使得可能落在孔构件上的任何颗粒污染物将会落在薄膜上。薄膜保持颗粒污染物在最终能量场的焦点外，从而防止颗粒污染物在处理的基板上成像。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 退火 工艺 减少 颗粒 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板的方法，包括：提供涂布有能量阻挡层的透明板，其中所述透明板具有设置在离所述透明板的前侧预定距离处的透明片，以防止颗粒污染物在所述基板的表面上成像；以及暴露所述基板的表面于穿过所述透明板和所述透明片的多个电磁能脉冲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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