[发明专利]用于对在外延剥离之后的晶圆进行再利用的热表面处理无效
| 申请号： | 201380008503.7 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104335365A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李圭相;杰拉米·齐默尔曼;史蒂芬·R·福里斯特 | 申请（专利权）人： | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种保持生长衬底的完整性的方法，所述方法包括：提供包括生长衬底、一个或多个保护层、牺牲层和至少一个外延层的结构，其中，所述牺牲层和所述一个或多个保护层设置在所述生长衬底和所述至少一个外延层之间；通过用蚀刻剂蚀刻所述牺牲层，释放所述至少一个外延层；以及对所述生长衬底和/或至少一个保护层进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 剥离 之后 进行 再利用 表面 处理 | ||
【主权项】：
一种保持生长衬底的完整性的方法，包括：提供包括生长衬底、一个或多个保护层、牺牲层和至少一个外延层的结构，其中，所述牺牲层和所述一个或多个保护层被设置在所述生长衬底和所述至少一个外延层之间；通过用蚀刻剂对所述牺牲层进行蚀刻，来释放所述至少一个外延层；以及对所述生长衬底和/或至少一个所述保护层进行热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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